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半導體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進程分為三代：第一代半導體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅，第二代化合物半導體材料包括砷化鎵、磷化銦，第三代化合物半導體材料以碳化硅和氮化鎵為代表。

碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。

因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對應(yīng)高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，有望成為未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎(chǔ)材料。

近年來新能源汽車驅(qū)動碳化硅行業(yè)高速成長，較傳統(tǒng)的燃油汽車相比，新能源汽車半導體元器件功率更大，性能要求更高，用量幾倍于傳統(tǒng)燃油汽車。

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方案，每輛新能源汽車使用的功率器件價值約700美元到1000美元。

隨著新能源汽車的發(fā)展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導體器件新的增長點。使用碳化硅襯底材料，為新能源汽車節(jié)省大量成本。

一、碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈也可分為三個環(huán)節(jié)：分別是上游襯底，中游外延片和下游器件制造。

碳化硅上游——襯底

碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，長晶難度大，技術(shù)壁壘高，毛利率可達50%左右。

已已經(jīng)過外延生長、器件制造等環(huán)節(jié)，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件。晶片尺寸越大，對應(yīng)晶體的生長與加工技術(shù)難度越大。

化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈

襯底常用Lely法制造，國際主流采用6英寸晶圓，正向8英寸晶圓過渡；國內(nèi)襯底以4英寸為主，主要用于10A以下小電流產(chǎn)品。

全球碳化硅市場呈現(xiàn)寡頭壟斷局面，歐美日企業(yè)領(lǐng)先美國全球獨大，全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司。

海外碳化硅單晶襯底企業(yè)主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日鐵住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等國際龍頭企業(yè)已開始投資建設(shè)8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線。

國內(nèi)企業(yè)也在積極研發(fā)和探索碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化，已經(jīng)形成相對完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈體系。中國企業(yè)在單晶襯底方面以4英寸為主，目前已經(jīng)開發(fā)出了6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底。以天科合達和山東天岳為主的SiC晶片廠商發(fā)展速度較快，市占率提升明顯。三安光電在SiC方面也在深度布局。

山東天岳、天科合達、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā)，中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。

華潤微擁有3條6英寸產(chǎn)線和一條正在建設(shè)的12英寸產(chǎn)線，并擁有國內(nèi)首條實現(xiàn)商用量產(chǎn)的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。

露笑科技2020年引進碳化硅重磅研發(fā)團隊并聯(lián)合合肥政府共同投資碳化硅。

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碳化硅中游——外延

外延常用PECVD法制造。

國外外延片企業(yè)主要有DowCorning、II-VI、Norstel、CREE、羅姆、三菱電機、英飛凌等；器件方面相關(guān)主要企業(yè)包括英飛凌、CREE、羅姆、意法半導體等。

國內(nèi)從事外延片生長的企業(yè)包括廈門瀚天天成和東莞天域半導體等；從事碳化硅器件設(shè)計制造的企業(yè)包括泰科天潤、華潤微、綠能芯創(chuàng)、上海詹芯、基本半導體、中國中車等。同時從事外延生長和器件制作的企業(yè)包括中電科五十五所、中電科十三所和三安集成等。

外延片方面，中國瀚天天成、東莞天域半導體、國民天成均可供應(yīng)4-6英寸外延片。模塊方面有斯達半導體、比亞迪電子、中車時代電氣等公司。

碳化硅下游 ——器件

下游器件的制造效率越高、單位成本越低。

器件領(lǐng)域國際上600-1700V碳化硅SBD、MOSFET都已量產(chǎn)，Cree已開始布局8英寸產(chǎn)線，國內(nèi)企業(yè)碳化硅MOSFET還有待突破，產(chǎn)線在向6英寸過渡。

碳化硅器件領(lǐng)域代表性的企業(yè)中，目前來看在國際上技術(shù)比較領(lǐng)先的是美國的Cree，其覆蓋了整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上下游（襯底-外延-器件），具有核心的技術(shù)。

下游碳化硅器件市場，美國Cree占據(jù)最大市場份額，達26%，其次為羅姆和英飛凌，分別占據(jù)21%和16%的市場份額。

英飛凌已經(jīng)推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并大規(guī)模推出了SiC解決方案。

國內(nèi)廠商主要有器件：泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電55所、中電13所、科能芯、中車時代電氣等；模組：嘉興斯達、河南森源、常州武進科華、中車時代電氣目前碳化硅市場處于起步階段。

碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈公司梳理：

Yole預(yù)計2025年碳化硅射頻器件全球市場規(guī)?？蛇_250億美元，2023年碳化硅功率器件全球市場規(guī)模可達14億美元。

在未來的10年內(nèi)，碳化硅器件有望大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動汽車領(lǐng)域。

二、碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域

目前碳化硅（SiC）半導體仍處于發(fā)展初期，晶圓生長過程中易出現(xiàn)材料的基面位錯，以致碳化硅器件可靠性下降。

另一方面，晶圓生長難度導致碳化硅材料價格昂貴，預(yù)計想要大規(guī)模得到應(yīng)用仍需一段時期的技術(shù)改進。

汽車應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅器件替代硅器件是確定的發(fā)展趨勢。碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域在持續(xù)的拓展。

新能源汽車產(chǎn)業(yè)作為一個體量快速增長、技術(shù)持續(xù)革新的戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，將在汽車電動化滲透率提升的過程中為多個細分技術(shù)領(lǐng)域提供廣闊的舞臺，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)有望涌現(xiàn)多家技術(shù)領(lǐng)先型的黑馬企業(yè)。

特斯拉Model3是第一個集成全SiC功率模塊的車企，主要采購意法半導體的650V碳化硅功率器件，特斯拉逆變器由24個1-in-1功率模塊組成，這些模塊組裝在針翅式散熱器上。

比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅Mosfet已經(jīng)走到3代，第4代正在開發(fā)當中，目前在規(guī)劃自建產(chǎn)線。若如期實現(xiàn)，比亞迪將繼續(xù)維持國內(nèi)三電技術(shù)領(lǐng)先的地位，并且在續(xù)航表現(xiàn)上與其他國內(nèi)車企拉開一大截。

5G基站方面，對碳化硅襯底也有較大需求。根據(jù)Yole和CREE預(yù)測，受益5G的普及與5G基站的建設(shè)，碳化硅基氮化鎵外延功率器件市場規(guī)模將從2018年6.45億美金增長到2024年的20億美金，年均復(fù)合增速達20.76%，2027年市場規(guī)模有望達到35億美金。

當前國內(nèi)電子行業(yè)處于成長期，正朝著核心技術(shù)含量和附加值更高的環(huán)節(jié)邁進，部分產(chǎn)品性能已經(jīng)能夠達到國際先進水平。

電子行業(yè)作為新一代信息技術(shù)中的核心組成部分，在國家更為重視科技發(fā)展的大背景下，有望進一步獲得政策和資金的大力支持。

隨著政策不斷扶持和資金助力，國內(nèi)電子企業(yè)有望在高技術(shù)含量和高附加值環(huán)節(jié)實現(xiàn)更多技術(shù)突破，加速國產(chǎn)化替代進程，產(chǎn)業(yè)鏈整體具備廣闊的成長空間。

合芯半導體專注于功率半導體行業(yè)十余年，積累豐富的MOS管、可控硅、三極管、穩(wěn)壓管、肖特基封裝經(jīng)驗，也致力提供封裝工藝積極布局第三代半導體，歡迎客戶關(guān)注和加工、使用。